近源等离子溅射体系差别取射频磁控溅射体系，它是经由过程靶材远处发生高密度等离子体完成溅射的。等离子体经PLS出口的发射电磁线圈放大，并由会聚线圈完成等离子偏向的会聚取掌握，到达完整掩盖靶材外面。靶里经由过程施加背偏压，正在靶里悉数外面构成高密度电流，靶材获得匀称的刻蚀，相对通例磁控溅射，削减了靶中毒的征象，同时对非金属薄膜进步了堆积速度。同时可正在靶材上施加直流偏压，用于溅射绝缘靶材。